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(量子线和量子点)激光器的研究发展也很快,日本okayama的GaInAsP/Inp长波长量子线(Qw+)激光器已做到9OkCW工作条件下Im =6.A,l =37A/cm2并有很高的量子效率.众多科研单位正在研制自组装量子点(QD)激光器,该QDLD已具有了高密度,高均匀性和高发射功率.由于实际需要,半导体激光器的发展主要是围绕着降低阔值电流密度、延长工作寿命、实现室温连续工作,以及获得单模、单频、窄线宽和发展各种不同激射波长的器件进行的。
20世纪90年代出现并特别值得一提的是面发射激光器(SEL),早在1977年,人们就提出了所谓的面发射激光器,并于1979年做出了个器件,1987年做出了用光泵浦的780nm的面发射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面发射激光器在室温下达到亚毫安的网电流,8mW的输出功率和11%的转换效率[2)前面谈到的半导体激光器,从腔体结构上来说,不论是F一P(法布里一泊罗)腔或是DBR(分布布拉格反射式)腔,激光输出都是在水平方向,统称为水平腔结构.它们都是沿着衬底片的平行方向出光的.而面发射激光器却是在芯片上下表面镀上反射膜构成了垂直方向的F一P腔,光输出沿着垂直于衬底片的方向发出,