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德国IGBT模块西门康SEMIKRON功率模块

关键词:IGBT模块

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  苏州银邦电子技有限公司:

  代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动专业网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的企业形象,同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系,也是众多电子厂商(富士、三菱英飞凌、西门康,艾塞斯,尼尔,ABB,西玛,三社、宏微等)的诚信代理商和分销商。通过多年的实战经验,公司积累了坚实的功率半导体应用知识

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  代理品牌:

  1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品;

  2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、

  、整流桥产品;

  3、CONCEPT、IDC驱动片及驱动板;

  4、巴斯曼(BUSSMANN),西门子,日之出等品牌熔断器、底座、熔芯等;

  1. IGBT的工作原理

  IGBT由栅极(G)、发射极(E)和集电极(C)三个极控制。如图1,IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。

  图1 IGBT 结构图

  图2 IGBT电气符号(左)与等效的电路图(右)

  如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低则IGBT不能稳定的工作,如果过高甚至超过栅极—发射极之间的耐压,则IGBT可能会损坏。同样,如果IGBT集电极与发射极之间的电压超过允许值,则流过IGBT的电流会超限,导致IGBT的结温超过允许值,此时IGBT也有可能会损坏。

  2. IGBT极性判断

  对IGBT进行检测时,应选用指针式万用表。首先将万用表拨到R×1KΩ档,用万用表测量各极之间的阻值,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则此极为栅极(G)。再用万用表测量其余两极之间的阻值,若测得阻值为无穷大,调换表笔后阻值较小,当测量阻值较小时,红表笔接触的为集电极(C),黑表笔接触的为发射极(E)。

  3 IGBT实物图

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