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延伸拓展
详情介绍:巨磁传感器它是一个集磁性薄膜,半导体集成及纳米技术为一体的高新技术产品,应用非常广泛。其技术结构套用一个数学公式:gmr传感器=磁性材料+纳米技术+半导体集成。磁电阻(gmr)效应是1988年发现的一种磁致电阻效应,由于相对于传统的磁电阻效应大一个数量级以上,因此名为巨磁电阻(giant magnetoresistanc),简称gmr。1. 巨磁电阻(gmr)原理,巨磁电阻(gmr)效应来自于载流电子的不同自旋状态与磁场的作用不同,因而导致的电阻值的变化。这种效应只有在纳米尺度的薄膜结构中才能观测出来。赋以特殊的结构设计这种效应还可以调整以适应各种不同的性能需要。反铁磁耦合时(外加磁场为0)处于高阻态的导电输出特性,电阻:r1/2外加磁场使该磁性多层薄膜处于饱和状态时(相邻磁性层磁矩平行分布),而巨磁传感器中电阻处于低阻态的导电输出特性,电阻:r2*r3/(r2+r3),r2>;r1>;r3,巨磁传感器将四个巨磁电阻(gmr)构成惠斯登电桥结构,该结构可以减少外界环境对传感器输出稳定性的影响,增加巨磁传感器传感器灵敏度。工作时图中“电流输入端”接5v~20v的稳压电压,“输出端”在外磁场作用下即输出电压信号。
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