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延伸内容
4.GaN元器件材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继一代Ge、Si半导体材料、二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。因为GaN元器件是宽禁带半导体,极性太大,则较难以通过高掺杂来获得较好的金属-半导体的欧姆接触,这是GaN元器件制造中的一个难题,故GaN元器件性能的好坏往往与欧姆接触的制作结果有关。现在比较好的一种解决办法就是采用异质结,首先让禁带宽度逐渐过渡到较小一些,然后再采用高掺杂来实现欧姆接触,但这种工艺较复杂。总之,欧姆接触是GaN元器件制造中需要很好解决的一个主要问题。总之,从整体来看,GaN元器件的优点弥补了其缺点,特别是通过异质结的作用,其有效输运性能并不亚于GaAs,而制作微波功率器件的效果(微波输出功率密度上)还往往要远优于现有的一切半导体材料。。日光灯和电灯泡都将会被LED所替代。LED将成为主导产品,GaN元器件晶体管也将随材料生长和器件工艺的发展而迅猛发展,成为新一代高温度频大功率器件。
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