挂杆式1分16光分路器箱对Ge材料，其人=1.60um,适用于长波长光电二极管:对Si材料，_-1.06um, 可用 于短波光电二极管。 不过Ge管与si管比较，暗电流较大，因此附加噪声也较大，所以，长波长光电二极管多采用三元或四元半导体化合物作材料，如InGiaAs和InGaAsP等。利用光电效应可以制造出简单的P-N结光电二极管。但是，这种光电二极管在P-N结中，由于有内建电场的作用，响应速度快。而在耗尽层以外产生的光电子和光空穴，由于没有内建电场的加速作用，运动速度慢，因而响应速度低，且容易被复合，使光电转换效率低。

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　　由图3-17 (c)还可以看出，它的耗尽层从结区直拉通到 I层与P'层相接的范围内。 在整个范围内，电场增加较小。 这样，这种拉通型APD (RAPD)器件就将电场分为两部 分，一 部分是使光生载流子逐渐加速的较低电场，另部分 是产生雪崩倍增效应的高电场区，这种电场分布有利于降低工作电压。这是一种全耗尽型结构，具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。雪蒯光电二极管根据使用的材料不同分为几种: Si-APD (工作在短波长区)、GC-APD 和InGaAS-APD (工作在长波长区)等。

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　　内部结构

　　3.2.4光电检测器的特性纤志0时-19:由用黄中部间光味美申和内补由PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管的特性都包括响应度、量子效率、响应速度和 暗电流。除此之外，由于APD中雪崩倍增效应的存在，APD 的特性还包括雪崩倍增特性、温度特性等。PIN光电二极管的主要特性包括响应度、量子效率、响应时间和暗电流。工众QRA从式(3-16)中可以看出:在工作波长定时，”与R具有定量的关系。图3-18所示是不同材料的光电二极管的响应度曲线。

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　　响应速度是指光电检测器的光电转换速度，一般用响应时间来表示，即从器件接收到光子时起到能够有光生电流输出的这段时间。显然响应时间越短，响应速度越快，器件性能越好。(4)暗电流在理想条件下，当没有光照时，光电检测器应无光电流输出。但是实际上，由于热激励等，在无光情况下，光电检测器仍有电流输出，这种电流称为暗电流。暗电流主要由体内暗电流和表面暗电流组成。PIN-PD的暗电流大小主要取决于其表面暗电流，因为PIN-PD的体内暗电流不会受到倍增作用，1值要比表面暗电流小得多。

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　　而APD的暗电流大小主要取决于其体内暗电流，由于倍增作用，APD的暗电流要比PIN-PD的暗电流大得多，且随温度升高，暗电流将会急剧增加。暗电流会引起接收机噪声加大。因此，器件的暗电流越小越好。APD除了上述PIN的特性之外，还包括雪崩倍增特性、温度特性及噪声特性等。19通信用光西作(KK伯增因子《实际上是电流增益系数。在您略明电流影响的条件下，它定义为10为有雪崩倍增时光电流平均值，，E11度比PIN增加了8倍。目前，APDO人为无倍增效应时光电流平均值。

　　显然，APD的响应 (2) 温度特性APD的信增因子值在40 100之间，PIN.PD的g-=1.当温度变化时，原子的热运动状态发生变化，从而引起电子、空穴电离系数的变化，使需要在温度变化的情况下进行温度补偿。(3)噪声特性PIN光电极管的噪声主要为量子噪声和暗电流暖声，APD管还有信增吸声。3.3无源光器件 0.2无源光器件是指未发生光电能较转换的部件，它是构成光纤通信系统的基本且必不可少的器件。高，不易受反复操作、温度变化和冲击力的影响，体积小，质量轻等。

　　为了提高光电检测器的转换效率和响应速度，希望耗尽区加宽。为此，在制造时，在P 型、N型材料之间，加一层轻掺杂的N型材料或不掺杂的本征材料，称为1 (Intrinsic,本征 的)层，如图3-14 (a)所示。由于是轻掺杂，因此电子浓度很低，经护散作用后可形成一一个很宽的耗尽区。同时，为了降低P-N结两端的接触电阻，以便与外电路连接，将P区和N区 做成重掺杂的P*层和N层。将这种结构的光电极管称为 PIN光电二极管， 如图3-14 (b)所示，其光电转换效率和响应速度大大提高了。制造这种晶体管的本征材料是Si或InGaAs.