上海萱鸿电子科技有限公司【诚信商家】一家专业制造整流二极管,可控硅,整流桥,模块以及出口型二极管,可控硅。销售,原装进口的IR(美国国际整流器)/VISHAY(威士),SEMIKRON(西门康),MITSUBISHI(三菱),INFINEON(英飞凌),SANREX(三社),IXYS(艾克塞斯),NELL(尼尔),FUJU(富士),WESTCODE(西玛),TOSHIBA(东芝),BUSSMANN(巴斯曼),Siemens(西门子)等国际知名品牌的整流管,可控硅,整流桥,模块,IGBT系类。相关更多产品欢迎点击
英飞凌600V系列:
BSM50GB60DLC
|
BSM10GP60
|
BSM75GB60DLC
|
BSM15GP60
|
BSM100GB60DLC
|
BSM20GP60
|
BSM150GB60DLC
|
BSM30GP60
|
BSM200GB60DLC
|
BSM50GP60
|
BSM300GB60DLC
|
BSM50GP60G
|
FF200R06KE3
|
BSM75GP60
|
FF300R06KE3
|
BSM100GP60
|
FF400R06KE3
|
FB10R06KL4
|
FF200R06ME3
|
FB10R06KL4G
|
FF300R06ME3
|
FB15R06KL4
|
FF400R06ME3
|
FB15R06KL4B1
|
FF450R06ME3
|
FB20R06KL4
|
FF600R06ME3
|
FB20R06KL4_B1
|
FF300R07KE4
|
FP10R06W1E3
|
FF400R07KE4
|
FP15R06W1E3
|
F4-100R06KL4
|
FP20R06W1E3
|
F4-150R06KL4
|
FP30R06W1E3
|
F4-200R06KL4
|
FP10R06KL4_B3
|
F4-30R06W1E3
|
FP10R06KL4
|
F4-50R06W1E3
|
FP15R06KL4
|
F4-75R06W1E3
|
FP20R06KL4
|
FS10R06VL4
|
FP30R06KE3
|
FS10R06VL4_B2
|
FP50R06KE3
|
FS15R06VL4
|
FP50R06KE3G
|
FS15R06VL4_B2
|
FP100R06KE3
|
FS10R06XL4
|
FP10R06YE3
|
FS15R06XL4
|
FP10R06YE3_B4
|
FS20R06XL4
|
FP15R06YE3
|
FS30R06XL4
|
FP15R06YE3_B4
|
BSM20GD60DLC
|
FP20R06YE3
|
BSM30GD60DLC
|
FP30R06YE3
|
BSM30GD60DLC E3224
|
FP30R06W1E3_B11
|
BSM50GD60DLC
|
FP50R06W2E3
|
BSM50GD60DLC E3224
|
FS200R06KE3
|
BSM75GD60DLC
|
FS20R06W1E3
|
BSM100GD60DLC
|
FS20R06W1E3_B11
|
BSM150GD60DLC
|
FS30R06W1E3
|
BSM200GD60DLC
|
FS30R06W1E3_B11
|
FS6R06VE3_B2
|
FS50R06W1E3
|
FS10R06VE3
|
FS50R06W1E3
|
FS10R06VE3_B2
|
FS15R06XE3
|
FS15R06VE3
|
FS30R06XE3
|
FS15R06VE3_B2
|
FS50R06YE3
|
FS20R06VE3
|
FS50R06YL4
|
FS20R06VE3
|
FS400R06A1E3
|
FS20R06VE3_B2
|
FS400R07A1E3
|
FS30R06VE3
|
FS800R06A2E3
|
FS50R06KE3
|
FS800R07A2E3
|
FS75R06KE3
|
FS200R07N3E4R
|
FS100R06KE3
|
FS200R07N3E4R
|
FS150R06KE3
|
FS150R06KE3_B4
|
1 IGBT额定电压的选择
三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流电压的值:
在开关工作的条件下,fGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1 电压等级的IGBT。
2 IGBT额定电流的选择
以30kW器为例,负载电流约为79A,由于负载电气启动或加速时,电流过载,一般要求1分钟的时间内,承受1.5倍的过流,择负载电流约为 ,建议选择电流等级的IGBT。
3 IGBT开关参数的选择
的开关频率一般小于10 kH Z,而在实际工作的过程中,fGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT,以30 kW ,逆变频率小于10kH z的变频器为例,选择IGBT的开关参数见表1。
4 影响IGBT可靠性因素
1)栅电压。
IGBT工作时,必须有正向栅电压,常用的栅驱动电压值为15~187,用到20V, 而棚电压与栅极Rg有很大关系,在设计IGBT驱动电路时, 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值,设计合适驱动参数,保证合理正向栅电压。因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系,正向栅电压越高,开通损耗越小,正向压降也咯小。
在桥式电路和大功率应用情况下,为了避免干扰,在IGBT关断时,栅极加负电压,一般在-5- 15V,保证IGBT的关断,避免Miller效应影响。
2)Miller效应。
为了降低Miller效应的影响,在IGBT栅驱动电路中采用改进措施:(1)开通和关断采用不同栅电阻Rg,on和Rg,off,确保IGBT的有效开通和关断;(2)栅源间加c,对Miller效应产生的电压进行能量泄放;(3)关断时加负栅压。在实际设计中,采用三者合理组合,对改进Mille r效应的效果更佳。
5 结束语
(1)IGBT是逆变器主要使用的主要功率开关器件,也是逆变器中主要工作器件,合理选择IGBT是保证IGBT可靠工作的前提,同时,要根据三相逆变电路结构的特点,选择低通态型IGBT为佳。