氧化镓靶材Ga2O3磁控溅射靶材
氧化镓靶材Ga2O3磁控溅射靶材
科研实验专用氧化镓靶材Ga2O3磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
产品介绍
氧化镓（Ga2O3）别名是三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，Eg=4.9eV；不溶于水，微溶于热酸或碱溶液，易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸；有α，β两种变体，α型为白色菱
形六面体，熔点：1900℃(在600℃时转化为β型)。用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。它是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，
被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。
产品参数
中文名称：氧化镓
中文别名：三氧化二镓
英文名称：Gallium(Iii) Oxide (Metals Basis)
CAS号：12024-21-4
分子式：Ga2O3
分子量：189.46000
精确质量：187.85200
PSA：43.37000
外观与性状：白色靶材
密度：5.88g/cm3
熔点：1740oC
折射率：1.92
纯度 99.99%
稳定性：稳定。 与镁不相容。
储存条件：库房通风低温干燥
用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。 用作高纯分析试剂、半导体材料。
支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！
我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。
注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！
建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。
